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ElFys黑硅光电探测器应用介绍

更新时间:2021-12-10 点击次数:95

ElFys 提供一系列高性能黑硅光电二极管。该光电探测器是通过采用表面纳米结构技术与原子层沉积涂层相结合,大大提高了光收集效率。

在 200 nm 至 950 nm 范围内具有光响应,外量子效率≥ 96%(通过德国国家计量研究院PTB 认证)。

 

图片1.jpg


此光电探测器在紫外波段也同样具有极高的量子效率,比普通的硅光电二极管高出两倍以上。


黑硅表面与定制的原子层沉积涂层相结合,极大地提高了感应角度范围内的表面吸收率,具有极高吸光度的超宽感应角度(> 95% @ 60°)


图片2.jpg

ElFys 提供SM和PD两大系列的标准产品,也可以针对不同应用需求进行定制。可以灵活地提供光电二极管芯片和完全封装的光电探测器解决方案。

图片3.jpg


SM系列黑硅光电探测器主要特点:
· 在多波长下具有出色的光敏性:绿色、红色和 NIR
· 低暗电流
· 紧凑型 SMD 封装
典型应用:
· 健康监测
· 可穿戴电子产品

图片5.jpg


PD系列黑硅光电探测器主要特点:
· 增强的广谱光敏性:UV、Vis 和 NIR
· 优化的电气特性
· TO-can 封装*大程度保护环境


典型应用:
· 高精度测光
· 分析仪器
· X射线成像

产品系列

型号

*大偏置电压

感光面积

*大暗电流@ -10 mV

节电容@0V,100kHz

响应率@λp

默认封装 *



[V]

[mm2]

[pA]

[pF]

[A/W]

λp (nm)

SM

SM322

6

3.22

40

60

0.71

970

SMD

SM446

6

4.46

50

80

0.71

970

SMD

PD

PD1sM

10

1

12

20

0.80

1010

TO-46

PD1sH

1

255

11

0.81

1040

TO-46

PD4sM

20

4

15

65

0.80

1010

TO-46

PD25sM

25

30

370

0.80

1010

TO-8

PD25sH

25

700

110

0.81

1040

TO-8

PD100sM

100

60

1200

0.80

1010

PCB

PD100sH

100

1500

340

0.81

1040

PCB

PD5sMG

100

5

15

105

0.80

1010

PCB

PD5sHG

5

400

30

0.81

1040

PCB

PD25sMG

25

30

370

0.80

1010

PCB

PD25sHG

25

700

110

0.81

1040

PCB

PD100sMG

100

60

1200

0.80

1010

PCB

PD100sHG

100

1500

340

0.81

1040

PCB

* 可根据客户要求为所有产品提供定制封装。
 
ElFys, Inc. 成立于 2017 年秋季,旨在将一组大学研究人员开创的光电探测器技术创新商业化。公司利用了芬兰埃斯波Micronova 纳米制造中心先进的加工设施。该设施包含了2600 平方米 的兼容CMOS技术的设施,适用于研发和半批量生产。
EIFys Inc. 由阿尔托大学的一个研究团队组成,是早期把太阳能电池新的研究结结合到光探测技术的公司,由此成功的把黑硅技术应用到光感应技术中。该技术使得光学探测器的性能大幅提升,可以捕到获每一束光。
 
公司的合作伙伴在硅光伏和相关研究方面也拥有丰富的专业知识。太阳能电池和光电二极管的结构和工作原理非常相似,因此太阳能电池的创新通常可以应用于光电二极管,反之亦然。表面钝化和缺陷工程等主题是制造过程的组成部分,正是这些制造过程,帮助我们实现了光电二极管的
响应。

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