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更新时间:2026-07-15
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MM-PAD X射线探测器是一款单光子级别、直接探测型 X 射线成像探测器,具有超宽动态范围。特别适用于各类X射线散射应用,例如:叠层成像(Ptychography)、相干衍射成像(CDI)、小角 X 射线散射(SAXS)以及广角 X 射线散(WAXS)。
该设备采用“混合模式"工作机制,实现了单帧满阱容量大于4.7 × 10⁷光子/像素,以及在8 keV条件下持续计数率5×10⁸光子/像素/秒。不同于结构较为简单的光子计数型探测器,本系统不存在因处理架构导致的“死时间",因此不会遗漏光子事件。
标准探测器头配置为512×512像素,由 2×4子模块阵列组成。每个子模块包含256× 128像素,像素间距为150μm。对于20 keV及以下的X射线能量实验,可选用基于硅(Si)传感器基底的子模块。对于高于 20 keV 的实验,可选用基于碲化镉(CdTe)传感器基底的子模块。
MM-PAD的最小帧间时间为 0.86 ms,最高帧率可达1.1 kHz。在8 keV 条件下,读出噪声约为0.5光子/像素,暗电流约为 2光子/像素/秒。系统集成了热电制冷系统以保持低暗电流。可以通过以太网连接至用户 PC 进行控制,并支持 EPICS 控制接口或 Sydor 专有控制接口。
MM-PAD X射线探测器产品指标
传感器材料:500 μm 厚高阻硅或750 μm厚碲化镉
传感器格式:由 8个子模块组成,每个模块为 256 x 128 像素。标准探测器阵列为 512 x 512 像素格式。
像素间距:150 μm
满阱容量:4.7 x 10⁷ 光子/像素/帧 @ 8 keV
持续计数率:~ 5 x 10⁸ 光子/像素/秒
读出噪声: ~ 0.5 光子/像素 @ 8 keV
暗电流:2光子/像素/秒 @ 8 keV
帧率:最高1.1 kHz
能谱范围:使用硅传感器时最高 20 keV,使用碲化镉传感器时高于 20 keV
冷却方式:热电冷却,辅以水冷废热排出
物理尺寸与重量:220 x 220 x 460 mm,< 8 kg
用户界面:支持 EPICS 和/或 Sydor 专用控制界面
产品特点
单帧动态范围 > 4.7×10⁷ 光子/像素,或等效的持续 计数率 5×10⁸ 光子/像素/秒(在 8 keV 条件下)
帧率 最高可达 1.1 kHz
硅(Si)传感器 适用于最高 20 keV 能量,或 CdTe传感器 适用于高于 20 keV 的能量范围
包含 EPICS 控制接口 和/或专有的 Sydor 控制接口
产品应用
叠层成像(Ptychography)
X 射线光子相关光谱(XPCS)
相干衍射成像(CDI)
全散射(小角 X 射线散射 SAXS 与广角 X 射线散射WAXS)
QE曲线

图为750 μm 厚 CdTe(碲化镉)探测器与 500 μm 厚硅探测器的量子效率
产品机械图

目前先锋泰坦已与美国 Sydor Technologies 达成*方代理合作,全面引进其X 射线探测、金刚石光束监测器仪器,负责产品在中国市场的推广、销售与售后技术落地,赋能国内前沿瞬态科学实验研究。